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8104mos管,30a40vmos管,KNG8104A場效應管參數(shù)資料-KIA MOS管
KNG8104A場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流30A，極低導通電阻RDS(開啟) 12mΩ，最大限度地減少導電損耗；低電流、低功耗、開關(guān)速度快，高效低耗；100%經(jīng)雪崩測試、提高dv/dt能力，穩(wěn)定可靠，環(huán)保無鉛；廣泛應用于PWM應用、電源管理、負載開關(guān)等；封裝形式：DF...www.enlve.com/article/detail/5666.html 2025-05-14
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pwm控制場效應管,30a40v電壓,KNY8104A參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
KNY8104A場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流30A，極低導通電阻RDS(開啟) 12mΩ，最大限度地減少導電損耗；低電流、低功耗、開關(guān)速度快，高效低耗；100%經(jīng)雪崩測試、提高dv/dt能力，穩(wěn)定可靠，環(huán)保無鉛；廣泛應用于PWM應用、電源管理、負載開關(guān)等；封裝形式：DF...www.enlve.com/article/detail/5669.html 2025-05-14
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分立式PWM發(fā)生器電路圖,原理作用詳解-KIA MOS管
PWM波形通常用于控制直流電機的速度。數(shù)字波形的占空比可以通過使用可調(diào)模擬電壓電平（在基于 NE555 的 PWM 發(fā)生器的情況下）或使用二進制值進行數(shù)字定義。www.enlve.com/article/detail/5668.html 2025-05-14
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PWM調(diào)速器電路圖,直流電機pwm調(diào)速-KIA MOS管
①右旋旋鈕，開關(guān)閉合，5V經(jīng)過R2，D2和RP1(1-2)給C3充電，C3電壓上升到觸發(fā)電平后觸發(fā)翻轉(zhuǎn)；②觸發(fā)翻轉(zhuǎn)后7腳放電端對地導通，C3通過RP1(2-3)、D3和R4對地放電，C3電壓下降到復位電平后觸發(fā)翻轉(zhuǎn)；www.enlve.com/article/detail/5667.html 2025-05-14
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適配器充電器mos管,500V13A高壓mos管,KNX6450B-KIA MOS管
KNX6450B是一款高壓MOS管，漏源電壓500V，漏極電流13A，RDS（ON）為0.35Ω；具備快速切換特性，實現(xiàn)快速切換電源，減少損耗；低柵極電荷、低反向傳輸電容、100%單脈沖雪崩能量測試，確保器件工作高效低耗，穩(wěn)定可靠；KNX6450B場效應管在適配器和充電器的電源開...www.enlve.com/article/detail/5266.html 2025-05-13
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40n120參數(shù)及代換,光伏逆變器場效應管,KGM40N120AI-KIA MOS管
40n120場效應管漏源電壓1200V，漏極電流40A，具備高頻、高溫、高壓特性，低VCE（sat），降低開關(guān)損耗；快速切換、高堅固性確保電路高效穩(wěn)定；KGM40N120AI專為太陽能光伏逆變器、UPS電源、儲能電源等應用設(shè)計，適合用于需要低功耗和高穩(wěn)定性的電路中；封裝形式：...www.enlve.com/article/detail/5308.html 2025-05-13
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模電mos管,1200v3a,KND42120A場效應管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
KND42120A場效應管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流3A，具備高壓和低導通電阻特性，提高系統(tǒng)效率；低導通電阻RDS(ON) 7Ω、低柵極電荷(17.5nC)最小化開關(guān)損耗；以及高速的響應能力提高切換速度，符合RoHS標準，快速恢復體二極管，確保性能穩(wěn)定可靠，適用于適配器、...www.enlve.com/article/detail/5314.html 2025-05-13
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60nf06參數(shù)代換,逆變器mos管,KND3306B場效應管資料-KIA MOS管
60nf06代換型號KND3306B場效應管漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，低導通電阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，能夠減少導電損耗，最小化開關(guān)損耗；具備高雪崩電流、開關(guān)速度快、耐沖擊特性好，堅固可靠；提供環(huán)保無鉛綠色設(shè)備，在電機控制、鋰電池保護板、逆變器中高效穩(wěn)定...www.enlve.com/article/detail/5329.html 2025-05-13
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?21n50參數(shù)及代換,大功率mos管,KIA20N50HF參數(shù)資料-KIA MOS管
21n50場效應管代換型號KIA20N50HF漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，低導通電阻RDS(on)0.21Ω，低柵極電荷（典型值為70nC），減少導電損耗，最小化開關(guān)損耗；具備快速切換能力、指定雪崩能量、改進的dvdt功能，穩(wěn)定可靠；高效率低損耗，專為高壓、高速功率開關(guān)應...www.enlve.com/article/detail/5332.html 2025-05-13
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50n06場效應管,60v50a,60vmos管,KIA50N06BD資料-KIA MOS管
KIA50N06BD場效應管漏源電壓60V，漏極電流50A，低導通電阻RDS(ON)10.5mΩ；具有低Rds開啟，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗；高雪崩電流，能夠承受較高的電壓脈沖，提高可靠性，確保在應用中高效穩(wěn)定；無鉛綠色環(huán)保，適用于適配器、開關(guān)電源、UPS電源、車載...www.enlve.com/article/detail/5357.html 2025-05-13
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ao4407a,ao4407參數(shù),ao4407a引腳圖功能-KIA MOS管
ao4407參數(shù)漏源電壓（Vdss）?：30V?連續(xù)漏極電流（Id）?：12ARDS(ON) (at VGS =-10V)< 14m??柵源極閾值電壓?：2.8V @ 250uA?最大功率耗散?：3.1Wwww.enlve.com/article/detail/5388.html 2025-05-13
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保護板mos管,無刷電機mos,30v150a,KIA2803AB場效應管參數(shù)-KIA MOS管
KIA2803AB場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽工藝設(shè)計，極低導通電阻RDS(on)=2.2mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小化開關(guān)損耗；具有快速切換、100%雪崩測試、允許高達Tjmax的重復雪崩、無鉛，符合RoHS標準，在鋰電池保護板、...www.enlve.com/article/detail/5390.html 2025-05-13
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AD30P30D3替代,-30v-100a,電機驅(qū)動pmos,KPY3203D參數(shù)-KIA MOS管
KPY3203D場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-100A，采用先進的高細胞密度溝槽技術(shù)，極低的導通電阻RDS(on)=3.5mΩ，超低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小化開關(guān)損耗；100%EAS保證、CdV/dt效應顯著下降，高效穩(wěn)定，綠色設(shè)備可用，符合環(huán)保要求，專用于電...www.enlve.com/article/detail/5400.html 2025-05-13
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電機驅(qū)動高壓mos管,11a400v場效應管,KNF6140S參數(shù)-KIA MOS管
KNF6140S場效應管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，極低導通電阻RDS(on)=0.53Ω，低柵極電荷15.7nC，可最大限度地減少導電損失；具有高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，高效穩(wěn)定可靠，提供卓越的開關(guān)性能；專為高壓、高速功率開關(guān)應用而設(shè)計，...www.enlve.com/article/detail/5406.html 2025-05-13